SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 95A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 178 nC @ 18 V
Vgs (máx.): +22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2879 pF @ 800 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 427W
Temperatura de funcionamiento: 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247N
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: SCT3022