RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.2V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1660 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: HUML2020L8
Paquete/Caja: 8-PowerUDFN
Número de producto base: RF4C100