NC1M120C12HTNG NextGen Components FET individuales MOSFET

Fabricante: NextGen Components
Serie: NC1M
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 214A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 40mA
Vgs (máx.): +20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 8330 pF @ 1000 V
Disipación de potencia (máx.): 938W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-4L
Paquete/Caja: TO-247-4