DIW120SIC023-AQ Diotec Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Diotec Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 125A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.9V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 45 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6150 pF @ 1000 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247
Paquete/Caja: TO-247-3