TP65H070G4LSG-TR Transphorm FET individuales MOSFET

Fabricante: Transphorm
Serie: SuperGaN®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 29A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.8V @ 700µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 600 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-PQFN (8x8)
Paquete/Caja: 3-PowerTDFN