E3M0021120K Wolfspeed, Inc. FET individuales MOSFET

Fabricante: Wolfspeed, Inc.
Serie: E
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 104A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 15V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 62.1A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.6V @ 17.1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 177 nC @ 15 V
Vgs (máx.): +19V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 5100 pF @ 1000 V
Disipación de potencia (máx.): 405W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-4L
Paquete/Caja: TO-247-4