GAN190-650FBEZ Nexperia USA Inc. FET individuales MOSFET

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 11.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.9A, 6V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 12.2mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2.8 nC @ 6 V
Vgs (máx.): +7V, -1.4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 96 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 125W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN5060-5
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Número de producto base: GAN190