GNP1070TC-ZE2 Rohm Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 20A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 5V, 5.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 18mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Vgs (máx.): +6V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 200 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN8080K
Paquete/Caja: 8-PowerDFN
Número de producto base: GNP1070