NTHL022N120M3S onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 68A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.4V @ 20mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 139 nC @ 18 V
Vgs (máx.): +22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3130 pF @ 800 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 352W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-3
Paquete/Caja: TO-247-3