IPDQ60R017S7XTMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??S7
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 30A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 12V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 196 nC @ 12 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 7370 pF @ 300 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-HDSOP-22-1
Paquete/Caja: 22-PowerBSOP Module
Número de producto base: IPDQ60R