G085P02TS Goford Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 8.2A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 900mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 29 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1255 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.05W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-TSSOP
Paquete/Caja: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)