DMT8007LPSW-13 Diodes Incorporated FET individuales MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 100A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.8V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 45.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2682 pF @ 40 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerDI5060-8 (Type UX)
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Número de producto base: DMT8007