ISZ330N12LM6ATMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??6
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 120 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 3.3V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 11µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 650 pF @ 60 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TSDSON-8 FL
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Número de producto base: ISZ330