GT045N10M Goford Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: SGT
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 120A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Vgs (máx.): ±20V
Característica FET: Standard
Disipación de potencia (máx.): 180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-263
Paquete/Caja: -