NVBG095N065SC1 onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 30A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 15V, 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.3V @ 4mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 50 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 956 pF @ 325 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D2PAK-7
Paquete/Caja: -
Número de producto base: NVBG095