JANSR2N7593U3 Microchip Technology FET individuales MOSFET

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Tray
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 12.4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 12V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.8A, 12V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 50 nC @ 12 V
Vgs (máx.): ±20V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: U3 (SMD-0.5)
Paquete/Caja: 3-SMD, No Lead