G1003B Goford Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Vgs (máx.): ±20V
Característica FET: Standard
Disipación de potencia (máx.): 3.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23-3L
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3