NP80N055MHE-S18-AY Renesas FET individuales MOSFET

Fabricante: Renesas
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 80A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 60 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3600 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: MP-25K
Paquete/Caja: TO-220-3