R6014YNXC7G Rohm Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V, 12V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 6V @ 1.4mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 20 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 890 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220FM
Paquete/Caja: TO-220-3 Full Pack
Número de producto base: R6014