MSC080SMA330B4 Microchip Technology FET individuales MOSFET

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 3300 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 41A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.97V @ 3mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 55 nC @ 20 V
Vgs (máx.): +23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3462 pF @ 2400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 381W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-4
Paquete/Caja: TO-247-4
Número de producto base: MSC080