IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: StrongIRFET??2
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 103A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.8V @ 85µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 76 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3600 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO263-3
Paquete/Caja: -
Número de producto base: IPB050N