MSC090SMA070SA Microchip Technology FET individuales MOSFET

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 700 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 25A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 750µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 38 nC @ 20 V
Vgs (máx.): +23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 785 pF @ 700 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 91W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-263-7
Paquete/Caja: -
Número de producto base: MSC090