R6576ENZ4C13 Rohm Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 76A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 2.96mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 260 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6500 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 735W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: R6576