SIA4263DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix FET individuales MOSFET

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen III
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1825 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® SC-70-6
Paquete/Caja: PowerPAK® SC-70-6