GPIHV30SB5L GaNPower FET individuales MOSFET

Fabricante: GaNPower
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 30A
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.4V @ 3.5mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.25 nC @ 6 V
Vgs (máx.): +7.5V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 236 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): -
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: Die
Paquete/Caja: Die