IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolSIC??M1
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 24A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 15 nC @ 18 V
Vgs (máx.): +23V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 496 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO263-7-12
Paquete/Caja: -
Número de producto base: IMBG65R