Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.6V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 490 pF @ 20 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: IPAK/TP
Paquete/Caja: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
