NTLJS3180PZTBG onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1100 pF @ 16 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-WDFN (2x2)
Paquete/Caja: 6-WDFN Exposed Pad