PSMN018-100ESFQ NXP Semiconductors FET individuales MOSFET

Fabricante: NXP Semiconductors
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 53A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 7V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1482 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 111W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: I2PAK
Paquete/Caja: -