RRS100P03HZGTB Rohm Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 39 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3600 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Número de producto base: RRS100