TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSX-H
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 84A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 700µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 56 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3980 pF @ 40 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DPAK
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63