R6509END3TL1 Rohm Semiconductor FET individuales MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 230µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 24 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 430 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: R6509