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BSS138BKWT106 Rohm Semiconductor FET individuales MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 380mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 10µA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 47 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-323
Paquete/Caja: SC-70, SOT-323
Número de producto base: BSS138

Datasheet

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