NTMFS4D2N10MDT1G onsemi FET individuales MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 16.4A (Ta), 113A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 239µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 60 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3100 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.8W (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN, 5 Leads