TP65H150G4PS Transphorm FET individuales MOSFET

Fabricante: Transphorm
Serie: SuperGaN®
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 16A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.8V @ 500µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 598 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220AB
Paquete/Caja: TO-220-3