IPB022N04LG Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??3
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 90A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 95µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 166 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 13000 pF @ 20 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO263-3-2
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB