BUZ32HXKSA1 Infineon Technologies FET individuales MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 530 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO220-3
Paquete/Caja: TO-220-3