UF3C120080K4S Qorvo FET individuales MOSFET

Fabricante: Qorvo
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 33A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 12V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 6V @ 10mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 43 nC @ 12 V
Vgs (máx.): ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1500 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 254.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-4
Paquete/Caja: TO-247-4
Número de producto base: UF3C120080