TSM500P02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4.7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 800mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 850 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base: TSM500