TSM320N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 900mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 792 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base: TSM320