SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 400mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 3 nC @ 10 V
Vgs (máx.): +20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 82 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23-3
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base: SSM3J168