TSM301K12CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation FET individuales MOSFET

Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 500mV @ 250µA (Min)
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 10 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 5.2 pF @ 6 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 6.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-TDFN (2x2)
Paquete/Caja: 6-VDFN Exposed Pad
Número de producto base: TSM301