SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 100mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.7V @ 100µA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 9.1 pF @ 3 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 100mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SSM
Paquete/Caja: SC-75, SOT-416
Número de producto base: SSM3J15