SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVII
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 14A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3350 pF @ 6 V
Característica FET: -
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-UDFNB (2x2)
Paquete/Caja: 6-WDFN Exposed Pad
Número de producto base: SSM6J511