SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 330mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 43 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: UFM
Paquete/Caja: 3-SMD, Flat Leads
Número de producto base: SSM3J36