TK6R7P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIX-H
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 46A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 300µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 26 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1990 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 66W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DPAK
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: TK6R7P06