TK50P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI-H
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 50A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.3V @ 200µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1700 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 47W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: D-Pak
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: TK50P03