TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: ?-MOSVII
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 11 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 490 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220SIS
Paquete/Caja: TO-220-3 Full Pack
Número de producto base: TK3A65