SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.4A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1.5A, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.2V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2.2 nC @ 4 V
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 200 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: UFV
Paquete/Caja: 5-SMD, Flat Leads
Número de producto base: SSM5H90