SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage FET individuales MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 100mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 12.2 pF @ 3 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: VESM
Paquete/Caja: SOT-723
Número de producto base: SSM3J35